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韓國首爾2021年4月6日 /美通社/ -- 韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導(dǎo)體(Key Foundry) 今天宣布，該公司已成功開發(fā)出面向汽車半導(dǎo)體應(yīng)用的第二代0.13微米嵌入式閃存工藝，年內(nèi)就將全面投入量產(chǎn)。
啟方半導(dǎo)體的一家韓國客戶率先將這項新工藝應(yīng)用到交通收費應(yīng)答器的MCU產(chǎn)品上。啟方半導(dǎo)體自行設(shè)計的128Kbyte eFlash IP已嵌入這款通過產(chǎn)品級別測試的產(chǎn)品，今年啟動全面量產(chǎn)。這是第一款采用啟方半導(dǎo)體嵌入式閃存工藝的汽車應(yīng)用產(chǎn)品。據(jù)該公司預(yù)計，該產(chǎn)品的成功開發(fā)將有助于把這項技術(shù)的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到觸控IC、無線充電IC和其他各種汽車產(chǎn)品。
與第一代工藝相比，第二代技術(shù)在可靠性和成本競爭力上均有明顯提升，預(yù)計將廣泛應(yīng)用于包括MCU、觸控和自動對焦在內(nèi)的各種消費類應(yīng)用。此外，在與BCD工藝（雙極型-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體工藝）相集成后，為各類電源產(chǎn)品帶來了合適的解決方案，例如USB Type-C PD（USB C型電源通信協(xié)議）、電機(jī)驅(qū)動IC或無線充電IC等。第二代技術(shù)的應(yīng)用場景有望進(jìn)一步擴(kuò)大到具有超低漏電工藝選項的低功耗物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。
繼0.13微米的第一代和第二代技術(shù)之后，啟方半導(dǎo)體目前正在開發(fā)0.11微米嵌入式閃存工藝。為了滿足客戶日益追求更高存儲密度的需求，該公司打算大幅縮小閃存單元的尺寸，打造出存儲密度高達(dá)4Mbits的閃存IP。
啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官李泰鐘博士(Tae Jong Lee)表示：“首款使用第二代0.13微米嵌入式閃存技術(shù)的產(chǎn)品已經(jīng)開發(fā)完成，即將投入量產(chǎn)。我們將充分利用我們積累的技術(shù)優(yōu)勢來提供高度可靠且具有成本競爭力的代工服務(wù)，并繼續(xù)提高汽車半導(dǎo)體在我們產(chǎn)品組合中的比例。”
