韓國首爾2022年2月28日 /美通社/ -- 韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今天宣布其0.18微米高壓BCD(雙極-CMOS-DMOS)工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。
BCD是一種單片集成工藝技術(shù),它將用于模擬信號控制的雙極器件、用于數(shù)字信號控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時制作在同一個芯片上。這種工藝適用于各種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優(yōu)點。近年來,隨著電子設(shè)備系統(tǒng)尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來越重要,對合適的功率半導(dǎo)體的需求也越來越大,因此對BCD的需求也在增加。
啟方半導(dǎo)體為工作電壓在8V至150V之間的功率器件提供0.18微米BCD工藝。特別是100V或150V級別的高壓功率器件,這些器件適合用來提高智能手機或筆記本電腦中電池充電IC的性能。以使用USB-C型連接器的電池充電為例,使用之前60V BCD工藝設(shè)計的充電器IC的充電功率最高可以為100瓦,但如果使用的是150V BCD工藝,充電功率則可以增加到240瓦。這些高壓器件還可用來設(shè)計大功率工業(yè)電機的驅(qū)動IC。啟方半導(dǎo)體計劃在下半年繼續(xù)完善其高壓器件技術(shù),以提供適用于通信和工業(yè)設(shè)備大功率電壓轉(zhuǎn)換器IC的200V級別的高壓器件。
啟方半導(dǎo)體0.18微米150V BCD工藝提供低導(dǎo)通電阻器件,以幫助其無晶圓廠客戶在提高電源效率的同時縮小芯片的尺寸。對于電源供電控制和輸出微調(diào),啟方半導(dǎo)體還提供可選的存儲器件,比如SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)、ROM(只讀存儲器)、MTP(多次可編程存儲器)和OTP(一次性可編程存儲器)。該公司還為客戶提供電機精密控制所需的霍爾傳感器器件,幫助他們實現(xiàn)高性能電機驅(qū)動IC的設(shè)計。
啟方半導(dǎo)體支持無晶圓廠客戶使用該BCD工藝開發(fā)并量產(chǎn)適用于智能手機、筆記本電腦和許多家用電器的快速充電器IC、交流-直流IC、直流-直流IC、電機驅(qū)動IC和以太網(wǎng)供電(PoE)IC。此外,該BCD工藝還符合國際汽車電子零部件可靠性測試標準AEC-Q100的Grade-0規(guī)范,可用于汽車電機驅(qū)動IC、直流-直流IC和LED驅(qū)動IC。
啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官李泰鐘(Tae Jong Lee)博士表示:“近年來為了實現(xiàn)高速電源傳輸和高功率效率,功率半導(dǎo)體市場對100V或更高電壓BCD工藝的需求正在加大。特別是,由于很少有代工廠使用傳統(tǒng)體硅襯底硅片提供100V或更高電壓BCD工藝,因此不再使用SOI襯底的0.18微米150V BCD工藝的量產(chǎn)有著重要的意義。啟方半導(dǎo)體將繼續(xù)開發(fā)工藝技術(shù),以滿足功率半導(dǎo)體設(shè)計公司的需求?!?/p>