新思科技與三星聯(lián)合開發(fā)的端到端射頻設(shè)計(jì)參考流程和設(shè)計(jì)解決方案套件，并集成了Ansys的領(lǐng)先技術(shù)，以加快設(shè)計(jì)完成
加州山景城2022年8月11日 /美通社/——新思科技（納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布推出射頻（RF）設(shè)計(jì)參考流程和配套的設(shè)計(jì)解決方案套件（DSK），以加快三星電子（以下簡(jiǎn)稱為"三星"）的8nm射頻低功耗FinFET工藝的設(shè)計(jì)并提高產(chǎn)能，從而幫助雙方客戶加速開發(fā)用于5G/6G應(yīng)用中的射頻設(shè)計(jì)。8nm射頻設(shè)計(jì)參考流程采用了新思科技和Ansys的無(wú)縫整合的解決方案，助力下一代射頻設(shè)計(jì)提高完成質(zhì)量，縮短完成時(shí)間，降低實(shí)現(xiàn)成本。
三星電子晶圓代工事業(yè)部設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)副總裁Sangyun Kim表示："三星新的射頻解決方案，即8nm 射頻工藝技術(shù)，可以提高5G通信芯片的性能和能效比。當(dāng)前，世界對(duì)于超緊密連接的需求日益增長(zhǎng)，我們很高興與新思科技、Ansys緊密合作開發(fā)8nm 射頻設(shè)計(jì)參考流程和設(shè)計(jì)解決方案套件，以更好地支持共同客戶滿足對(duì)于設(shè)計(jì)復(fù)雜性的需求。"
在數(shù)字世界中實(shí)現(xiàn)更廣的連接
先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的模擬和射頻設(shè)計(jì)是推動(dòng)"萬(wàn)物智能"數(shù)字世界發(fā)展的應(yīng)用中不可或缺的一部分。然而，面對(duì)5G/6G、汽車和高性能計(jì)算等應(yīng)用的帶寬和延遲要求，對(duì)于芯片設(shè)計(jì)的要求往往復(fù)雜且耗時(shí)。全新推出的8nm 射頻設(shè)計(jì)參考流程簡(jiǎn)化了開發(fā)過(guò)程，能夠通過(guò)行業(yè)領(lǐng)先的電路仿真和版圖能效比以及精確的電磁（EM）建模，加速版圖設(shè)計(jì)周轉(zhuǎn)時(shí)間。該參考流程納入了使用新思科技和Ansys的工具進(jìn)行射頻設(shè)計(jì)的成熟方法，包括原理圖設(shè)計(jì)、仿真、版圖、提取、電磁（EM）仿真和物理驗(yàn)證。相關(guān)的DSK包含一套應(yīng)用說(shuō)明、教程和設(shè)計(jì)實(shí)例，涵蓋了先進(jìn)的設(shè)計(jì)方法，包括：
該流程的關(guān)鍵要素包括新思科技定制設(shè)計(jì)系列產(chǎn)品，其中有新思科技 Custom Compiler?設(shè)計(jì)和版圖產(chǎn)品、新思科技PrimeSim?電路仿真產(chǎn)品、新思科技 StarRC?寄生參數(shù)提取簽核產(chǎn)品和 新思科技 IC Validator?物理驗(yàn)證產(chǎn)品；Ansys VeloceRF電感元件和傳輸線綜合產(chǎn)品；以及Ansys RaptorX?和Ansys RaptorH?先進(jìn)納米電磁分析產(chǎn)品。
Ansys研發(fā)部副總裁Yorgos Koutsoyannopoulos表示："很高興能與新思科技和三星合作開發(fā)射頻設(shè)計(jì)參考流程。通過(guò)與新思科技Custom Compiler設(shè)計(jì)和PrimeSim仿真解決方案無(wú)縫協(xié)作，Ansys電感器設(shè)計(jì)和電磁提取工具擁有行業(yè)領(lǐng)先的能力以解決極具挑戰(zhàn)性的設(shè)計(jì)并為所有先進(jìn)工藝建模，實(shí)現(xiàn)了完整的端到端射頻設(shè)計(jì)流程。我們共同為射頻設(shè)計(jì)模塊的設(shè)計(jì)、優(yōu)化和驗(yàn)證提供了一個(gè)直觀和易用的流程。"
新思科技工程部副總裁Aveek Sarkar表示："新思科技和三星有著緊密合作的歷史，賦能我們的共同客戶通過(guò)三星設(shè)計(jì)工藝實(shí)現(xiàn)平滑和富有成效的設(shè)計(jì)工作流程。基于我們與Ansys的密切合作，全新射頻設(shè)計(jì)參考流程和DSK有效簡(jiǎn)化了開發(fā)先進(jìn)無(wú)線系統(tǒng)的過(guò)程，而這些系統(tǒng)將繼續(xù)推動(dòng)我們的智能世界的發(fā)展。"
