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加州圣何塞2020年9月10日 /美通社/ -- Rambus Inc.（NASDAQ:RMBS）是一家專注于使數(shù)據(jù)更快更安全并領先業(yè)界的silicon IP和芯片提供商。今天，宣布它的 HBM2E內(nèi)存接口解決方案實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的4 Gbps性能。該解決方案由完全集成的PHY和控制器組成，搭配業(yè)界最快的，來自SK hynix的3.6Gbps運行速度的HBM2E DRAM，該解決方案可以從單個HBM2E設備提供460 GB/s的帶寬。此性能可以滿足TB級的帶寬需求，針對最苛刻的AI/ML訓練和高性能的加速器計算（HPC）應用而生。
“基于Rambus取得的此成就，AI和HPC系統(tǒng)的設計師們進行系統(tǒng)設計時就可以使用來自SK hynix 以3.6Gbps的速度運行世界上最快的HBM2E DRAM,” SK hynix 發(fā)言人，產(chǎn)品計劃副總裁Uksong Kang說道?！敖衲?月，我們宣布全面量產(chǎn)HBM2E，可用于要求最高帶寬的最新計算應用程序?！?/p>
完全集成并已可投產(chǎn)的Rambus HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)以4Gbps的速度運行，無需要求PHY電壓過載。Rambus與SK hynix和Alchip的合作，采用臺積公司領先的N7工藝和CoWoS®先進封裝技術(shù)，實現(xiàn)了HBM2E 2.5D系統(tǒng)在硅中驗證Rambus HBM2E PHY和內(nèi)存控制器IP。Alchip與Rambus的工程團隊共同設計，負責中介層和封裝基板的設計。
臺積公司設計基礎設施管理部資深部長Suk Lee表示：“Rambus及其合作伙伴基于臺積公司先進的制程工藝和封裝技術(shù)所取得的進步，是我們與Rambus持續(xù)合作的又一重要成果。我們期待與Rambus繼續(xù)合作，以實現(xiàn)AI/ML和HPC應用程序的最高性能?！?/p>
“透過本次合作，Alchip在7奈米和2.5D封裝設計方面取得了顯著的成功，”Alchip Technologies首席執(zhí)行官Johnny Shen說?！拔覀?yōu)镽ambus的突破性成就所做的貢獻感到非常自豪?！?/p>
Rambus擁有30年的高速內(nèi)存設計經(jīng)驗，并將其應用于最苛刻的計算應用。其著名的信號完整性專業(yè)知識是實現(xiàn)能夠運行4 Gbps的HBM2E內(nèi)存接口的關(guān)鍵。這為滿足AI/ML訓練中永不滿足的帶寬需求立下了一個新的標桿。
“隨著硅運算速度高達4 Gbps，對設計師們而言，可驗證未來HBM2E升級實現(xiàn)方向，并有信心為3.6 Gbps的設計提供充足的裕量空間?！?nbsp;Rambus IP core 總經(jīng)理及資深總監(jiān) Matthew Jones說道：“參與每個客戶項目過程，Rambus提供2.5D封裝和中介層提供參考設計，以確保任務關(guān)鍵型AI/ML設計一步到位成功實現(xiàn)?！?/p>
Rambus HBM2E內(nèi)存接口（PHY和控制器）的優(yōu)點：
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