北京2017年9月21日電 /美通社/ -- 在9月19日于北京舉行的英特爾精尖制造日上,英特爾在其展示區(qū)域和主題演講上展示了五款晶圓。這是英特爾首次公開(kāi)展示這五款晶圓,彰顯了英特爾在制造領(lǐng)域取得的巨大進(jìn)步。
這五款晶圓包括:英特爾10納米Cannonlake、英特爾10納米Arm測(cè)試芯片、英特爾22FFL、14納米展訊SC9861G-IA和14納米展訊SC9853I。
英特爾Cannonlake采用10納米制程工藝,不僅擁有全球最密集的晶體管和金屬間距,還采用了超微縮特性,這兩大優(yōu)勢(shì)保證了密度的領(lǐng)先性,比競(jìng)爭(zhēng)友商的“10 納米”技術(shù)領(lǐng)先了整整一代,計(jì)劃于2017年下半年開(kāi)始生產(chǎn)。超微縮可釋放出多模式方案的全部?jī)r(jià)值,使得英特爾得以繼續(xù)摩爾定律的經(jīng)濟(jì)效益。
英特爾與Arm在10nm的合作取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。英特爾10nm CPU測(cè)試芯片流片具有先進(jìn)的Arm CPU核, 使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA) Place and Route工具和流程,性能高達(dá)3GHz以上。ARM同時(shí)正在開(kāi)發(fā)高性能存儲(chǔ)器、邏輯單元和CPU POP套件,以進(jìn)一步擴(kuò)展下一代ARM CPU在英特爾10nm技術(shù)上的性能水平。
- ARM Cortex A75: Intel 10nm 測(cè)試芯片
英特爾22FFL(FinFET 低功耗)平臺(tái)旨在推動(dòng)FinFET的大規(guī)模應(yīng)用。它具備:
卓越集成能力
快速上市速度
Cost-effective的設(shè)計(jì)
理想應(yīng)用
展訊的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移動(dòng) AP 均使用英特爾的 14 納米低功耗平臺(tái)制造而成,這兩款移動(dòng) AP 分別于 2017 年 3 月和 8 月推出,同時(shí)還使用了英特爾 Airmont CPU 架構(gòu)。
英特爾的 14 納米平臺(tái)適用于制造需要高性能和低漏電功耗的產(chǎn)品
快速上市速度
兩個(gè)平臺(tái)滿足您的全部產(chǎn)品需求
理想應(yīng)用