上海2016年3月11日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（簡稱“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所股票代碼：981），中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術(shù)先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，與阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與制造達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議。
作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲(chǔ)器組件。這將幫助客戶將低延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲(chǔ)器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費(fèi)電子、工業(yè)及汽車電子市場需求。
“Crossbar產(chǎn)品持續(xù)按計(jì)劃推進(jìn)，目前正在授權(quán)階段。我們很榮幸宣布與中芯國際的合作，這是我們的RRAM技術(shù)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的重要一步?！盋rossbar CEO及聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian表示，“高度集成的MCU及SoC設(shè)計(jì)者需要非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，此技術(shù)能夠更加便捷地集成到他們的產(chǎn)品中去并且能夠應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯制程制造。Crossbar的RRAM技術(shù)與中芯國際專業(yè)制造能力的結(jié)合將創(chuàng)造獨(dú)特的存儲(chǔ)器架構(gòu)，安全性更嚴(yán)格，功耗更低，同時(shí)提供更大容量和更快的進(jìn)入時(shí)間。”
Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對更小工藝尺寸的可擴(kuò)展性使非易失性存儲(chǔ)器組件在更低工藝節(jié)點(diǎn)的MCU和SoC中集成成為可能。RRAM元件能夠集成到標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯工藝當(dāng)中，在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓的兩條金屬線之間。這將促成高度集成的非易失性存儲(chǔ)器解決方案的實(shí)現(xiàn)，將片上非易失性存儲(chǔ)器、處理器核、模擬及射頻集成在一個(gè)單獨(dú)的芯片上。
“基于中芯國際40納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，我們能夠?yàn)榭蛻籼峁?yīng)用于智能卡和多種物聯(lián)網(wǎng)器件的高容量、低功耗且具有獨(dú)特安全性的存儲(chǔ)器技術(shù)?！敝行緡H首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，“我們很高興與Crossbar在中芯國際穩(wěn)定可靠的40納米技術(shù)平臺(tái)上展開合作。我們能夠?yàn)槿蚩蛻籼峁┚哂懈偁幜Φ募夹g(shù)，幫助他們縮短入市時(shí)間。我們也致力于與更多世界領(lǐng)先的公司展開長期戰(zhàn)略合作，共同服務(wù)市場并在未來實(shí)現(xiàn)共贏?！?/p>
Crossbar的RRAM技術(shù)為需要低功耗、高性能非易失性代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的嵌入式應(yīng)用提供具有性價(jià)比的集成存儲(chǔ)器解決方案。
關(guān)于中芯國際
中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐交所代號(hào)：SMI，港交所股份代號(hào)：981），是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術(shù)先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國際總部位于上海，在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規(guī)模晶圓廠；在北京建有一座300mm超大規(guī)模晶圓廠，一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠正在開發(fā)中；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺(tái)灣地區(qū)設(shè)立營銷辦事處、提供客戶服務(wù)，同時(shí)在香港設(shè)立了代表處。詳細(xì)信息請參考中芯國際網(wǎng)站 www.smics.com。
安全港聲明
（根據(jù)1995私人有價(jià)證券訴訟改革法案）
本文件可能載有（除歷史資料外）依據(jù)美國一九九五年私人有價(jià)證券訴訟改革法案“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述乃基于中芯國際對未來事件的現(xiàn)行假設(shè)、期望及預(yù)測。中芯國際使用“相信”、“預(yù)期”、“計(jì)劃”、“估計(jì)”、“預(yù)計(jì)”、“預(yù)測”及類似表述為該等前瞻性陳述之標(biāo)識(shí)，但并非所有前瞻性陳述均包含上述字眼。該等前瞻性陳述乃反映中芯國際高級管理層根據(jù)較佳判斷作出的估計(jì)，存在重大已知及未知的風(fēng)險(xiǎn)、不確定性以及其它可能導(dǎo)致中芯國際實(shí)際業(yè)績、財(cái)務(wù)狀況或經(jīng)營結(jié)果與前瞻性陳述所載資料有重大差異的因素，包括（但不限于）與半導(dǎo)體行業(yè)周期及市況有關(guān)風(fēng)險(xiǎn)、激烈競爭、中芯國際客戶能否及時(shí)接受晶圓產(chǎn)品、能否及時(shí)引進(jìn)新技術(shù)、中芯國際量產(chǎn)新產(chǎn)品的能力、半導(dǎo)體代工服務(wù)供求情況、行業(yè)產(chǎn)能過剩、設(shè)備、零件及原材料短缺、制造產(chǎn)能供給、終端市場的金融情況是否穩(wěn)定和高科技巿場常見的知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟。
除本文件所載的資料外，閣下亦應(yīng)考慮本公司向證券交易委員會(huì)呈報(bào)的其他存檔所載的資料，包括本公司于二零一五年四月二十八日隨表格20-F向證券交易委員會(huì)呈報(bào)的年報(bào)，尤其是“風(fēng)險(xiǎn)因素”一節(jié)，以及本公司不時(shí)向證券交易委員會(huì)或香港聯(lián)交所呈報(bào)的其他文件（包括表格6-K）。其他未知或未能預(yù)測的因素亦可能會(huì)對本公司的未來業(yè)績、表現(xiàn)或成就造成重大不利影響。鑒于該等風(fēng)險(xiǎn)、不確定性、假設(shè)及因素，本文件所討論的前瞻性事件可能不會(huì)發(fā)生。閣下務(wù)請小心，不應(yīng)不當(dāng)依賴該等前瞻性陳述，有關(guān)前瞻性陳述僅就該日期所述者發(fā)表，倘并無注明日期，則就本文件刊發(fā)日期發(fā)表。
中芯國際媒體聯(lián)絡(luò)：
唐穎
電話：+86-21-3861-0000轉(zhuǎn)10088
電郵：Jane_Tang@smics.com
關(guān)于Crossbar
Crossbar Inc.是RRAM技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，被廣泛認(rèn)為是下一代存儲(chǔ)系統(tǒng)的推動(dòng)者，從而有望取代傳統(tǒng)閃存技術(shù)。Crossbar RRAM能夠在郵票尺寸的芯片上實(shí)現(xiàn)太字節(jié)（terabyte）存儲(chǔ)，而足夠低的功耗可大規(guī)模運(yùn)用于物聯(lián)網(wǎng)，并被輕松定制到一系列應(yīng)用中。從可穿戴應(yīng)用的SoC嵌入式存儲(chǔ)，到云數(shù)據(jù)中心的超高密度SSD，Crossbar正在催生一個(gè)存儲(chǔ)器創(chuàng)新的新紀(jì)元。更多詳情，請?jiān)L問官方網(wǎng)站 www.crossbar-inc.com 或關(guān)注我們的Twitter，LinkedIn和Google+賬號(hào)。
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