中國武漢2015年1月26日 /美通社/ -- 2015年1月26日，武漢新芯集成電路制造有限公司（XMC），今日宣布其第一個基于 SST 應(yīng)用方案的55nm嵌入式閃存工藝驗證模塊上已經(jīng)取得成功，其高壓和存儲單元電性測試結(jié)果與設(shè)計目標值完全吻合，16M存儲陣列良率符合預(yù)期。這是武漢新芯低功耗嵌入式閃存技術(shù)研發(fā)的一個重要里程碑。
武漢新芯于2014年正式開始與 SST 合作開發(fā)高可靠性的嵌入式閃存技術(shù)。在雙方工程師的共同努力下，僅用不到一年時間就完成了技術(shù)導入、工藝設(shè)計和器件研發(fā)制造。目前，器件的高壓（HV）和單元（Cell）電性參數(shù)完全符合預(yù)期，整體電路結(jié)構(gòu)兼具高可靠性和低成本，能完全滿足智能卡和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的需求。緊接著，武漢新芯將與合作伙伴試產(chǎn)智能卡產(chǎn)品，以驗證終端產(chǎn)品功能和性能，并以此進一步優(yōu)化工藝、提升良率，實現(xiàn)量產(chǎn)。
“在55nm嵌入式閃存工藝上取得的進展意味著武漢新芯正穩(wěn)步推進自己55nm低功耗物聯(lián)網(wǎng)平臺的建設(shè)。”武漢新芯市場部副總裁黃建冬博士說道，“我們將繼續(xù)拓展現(xiàn)有的制造能力，持續(xù)完善工藝平臺，為客戶帶來更多定制化的技術(shù)與代工服務(wù)?！?/p>
關(guān)于武漢新芯集成電路制造有限公司 XMC
武漢新芯集成電路制造有限公司是一家迅速發(fā)展的集成電路制造商，擁有獨特的合作伙伴模式，專注于先進的專業(yè)技術(shù)。武漢新芯公司依托可靠的技術(shù)能力，致力于為客戶提供卓越的300mm晶圓的代工服務(wù)。武漢新芯公司總部位于中國武漢，2008年開始量產(chǎn)。更多信息請訪問：www.xmcwh.com
